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簡要描述:反應(yīng)離子刻蝕機PlasmaStar 100儀器介紹 PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料,擁有多種腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小,用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外,觸摸屏計算機控制,多級程序控制和組件控制,操作簡單。PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。
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腔室材料是硬質(zhì)陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設(shè)計,包括用于反應(yīng)離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。
1、腔體尺寸:直徑≥200mm,深度≥280mm;
2、腔體材質(zhì):硬質(zhì)陽極氧化鋁矩形腔體;
3、處理腔背面材質(zhì):鋁;
4、處理腔門:要求全自動腔門;
5、兩路工藝氣體,≥2路質(zhì)量流量控制器控制氣體流量,氣體輸入腔室?guī)蛄髟O(shè)計;
6、射頻功率:0~600W連續(xù)可調(diào),13.56MHz,自動匹配,自然風冷;
7、配備RIE平面水冷平板電極;
8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面;
9、程序控制:觸摸屏電腦控制,無線程序存儲;
10、Windows操作系統(tǒng),兼容Windows office軟件,USB接口,可進行外部電腦遠程控制的功能;
11、狀態(tài)和出錯信息提示,過程數(shù)據(jù)和出錯信息存儲,可選擇自動和手動操作模式,過程數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出,工藝參數(shù)以圖形方式呈現(xiàn),可實時監(jiān)控,自動實現(xiàn)泄露檢測;
12、配套緊急急停按鈕(EMO),配套電路斷路器,機械聯(lián)鎖(門傳感器)和真空聯(lián)鎖(壓力開關(guān)),通過軟件可進行遠程的真空聯(lián)鎖;
13、典型的光刻膠刻蝕速率:80nm/min;
14、典型工藝均勻性:≥±10%;
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