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簡要描述:光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。
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光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應用進行考慮。
光譜橢偏儀特征:
•基于Window軟件,易于操作;
•*光學設計,實現(xiàn)系統(tǒng)性能;
•高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應用;
•基于陣列的探測器系統(tǒng),確??焖贉y量;
•用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;
•能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;
•系統(tǒng)配有全面的光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫;
•高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);
•三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務模式和簡易用戶模式;
•靈活的工程模式,適用于各種配方設置和光學模型測試;
•強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;
•可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;
•系統(tǒng)全自動校準和初始化;
•直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學元件;
•精確的高度和傾斜程度調(diào)整;
•適用于許多不同類型的不同厚度的基材;
•各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;
•2D和3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;
光譜橢偏儀應用:
•半導體制造(PR,氧化物,氮化物......)
•液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......)
•法醫(yī)學,生物學材料
•油墨,礦物學,顏料,調(diào)色劑
•制藥,醫(yī)療器械
•光學涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......
•半導體化合物
•MEMS / MOEMS中的功能薄膜
•無定形,納米和硅晶圓
•太陽能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS ....
光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):
型號 | SE200 (DUV-Vis) | SE300 (Vis) | SE450 (Vis-Nir) | SE500 (DUV-Vis-Nir) |
探測器類型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 |
波長范圍(nm) | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 |
波長點 | 測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制) | |||
波長分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm |
數(shù)據(jù)采集??時間 | 100毫秒到10秒,用戶自定義 | |||
入射角范圍 | 20至90度 |
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