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簡要描述:EDC濕法刻蝕顯影機適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料、硅片、晶片、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝,制版的表面顯影。
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EDC濕法刻蝕顯影機適應(yīng)于半導(dǎo)體、化工材料、硅片、晶片、基片、導(dǎo)電玻璃等工藝,制版的表面顯影。
一、涂膠顯影機工作原理:
(1)可訂制濕法處理全套工藝(顯影,腐蝕,清洗,甩干);
(2)擁有樣品清洗,氮氣吹掃,甩干,背部清洗作為必配功能,確保 “Dry In,Dry Out";
(3)特制的頂蓋閥門控制(VoD技術(shù)),確保試液無滴漏;
EDC濕法刻蝕顯影機具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應(yīng)用的要求重復(fù)進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等之后的處理步驟。采用此序貫閥門技術(shù)的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開通和關(guān)閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內(nèi)調(diào)節(jié)。涂膠顯影機還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性。
二、涂膠顯影機主要性能指標(biāo):
1、腔體尺寸:9英寸 (220 毫米);
2、Wafer&芯片:直徑6英寸(150毫米)的晶圓片或者5x5英寸(125毫米)的方片;
3、非真空托盤:聚丙烯材質(zhì)非真空托盤,可承載2、3英寸及150毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
3、轉(zhuǎn)動速度:0-12,000rpm,
5、馬達旋涂轉(zhuǎn)速:穩(wěn)定性能誤差 < ±1%;
6、工藝時間設(shè)定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度數(shù)碼控制器:PLC控制,設(shè)置點精度小于0.006%;
8、程序控制:可存儲20個程序段,每個程序段可以設(shè)置51步不同的速度狀態(tài);
9、分辨率:分辨率不超過1轉(zhuǎn)/分,可重復(fù)性不超過1轉(zhuǎn)/分,美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(NIST)認證過的,并且無需再校準(zhǔn)!]
10、腔體開關(guān)蓋板:透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板,便于實時進行可視化操作;
11、腔體材質(zhì)說明:用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動傳感觸點的合瓣式艙體;
12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
13、配套真空泵系統(tǒng):無油型 220~240伏交流,50/60赫茲;
三、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
光刻膠顯影(KrF/ArF)
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理
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